只用台積電3奈米！輝達HBM新令發布 三星為合作點頭
隨著人工智慧（AI）運算對高頻寬記憶體（HBM）效能的需求大幅提升，半導體巨擘輝達（Nvidia）傳出已對記憶體製造商提出全新規範。韓國媒體報導，輝達要求合作夥伴在下一代NVHBM的基礎晶粒上採用台積電製程，並結合第6代DRAM技術，以統一記憶體效能與相容性，三星電子等大廠對此亦已評估配合。
輝達統整NVHBM架構 提升效能與供應鏈相容性
據《路透社》（Reuters）報導稱，輝達於今年8月發表全新NVHBM架構，將自家的客製化記憶體控制器直接整合至基礎晶粒（Base Die）中。此舉主要目的在於統一各家記憶體供應商的技術實作方式，藉此進一步提高AI晶片與記憶體模組間的產品整合度與相容性。
韓國《首爾經濟日報》引述產業消息人士指出，輝達已正式要求三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及美光科技（Micron Technology）等三大記憶體龍頭，在其NVHBM產品的基礎晶粒採用台積電製程，核心晶粒則必須搭配第6代DRAM（1c nm）技術，以全面滿足新一代AI算力架構的需求。
三星評估配合台積3奈米 保留晶圓代工彈性空間
報導指出，三星電子在經過內部審慎評估後，已同意輝達所提出的技術要求，目前規劃採用台積電的3奈米先進製程來製造NVHBM基礎晶粒。不過，產業專家分析，這並不代表三星將全面放棄自家的晶圓代工業務。三星仍計劃維持以自有的製造模式生產標準HBM產品，並持續為其他客戶提供客製化的生產服務。
此外，消息人士補充指出，三星內部也在評估潛在的備案方案。若未來NVHBM基礎晶粒的需求量大幅增加、導致台積電產能出現瓶頸時，三星不排除爭取將部分NVHBM基礎晶粒轉由自家的晶圓代工部門負責生產，以確保整體供應鏈的彈性與穩定度。
