南韓半導體大廠三星電子（Samsung Electronics）及SK海力士（SK Hynix）正升級位於中國的記憶體晶片工廠，計畫生產更先進的NAND快閃記憶體，以因應人工智慧（AI）需求成長及中國競爭對手長江存儲（YMTC）的崛起。據《路透社》21日引述知情人士報導，兩家公司計畫在中國生產超過200層的NAND晶片，但相關設備仍受到美國出口管制限制。
三星西安廠瞄準286層NAND SK海力士大連廠規劃升級
據知情人士透露，三星位於中國西安的工廠目前生產約200層NAND晶片，占三星全球NAND產量約40%。公司正透過內部代號「Monami」的計畫，將產線升級至286層V9 NAND，目標在今年12月達到每月5,000片晶圓產量，並於2027年12月提高至每月4萬片。
另一方面，SK海力士計畫將中國大連廠目前生產的192層NAND晶片，升級至240層以上。據知情人士透露，該廠已獲准生產最高240層NAND晶片，未來也可能向美國申請研發300層以上NAND技術的許可。
NAND快閃記憶體廣泛應用於智慧型手機、電腦及AI資料中心的固態硬碟（SSD），增加堆疊層數有助於提升儲存密度並降低成本。
美國出口管制限制升級 韓廠須逐年申請許可
美國自2022年起加強對中國的半導體設備出口管制，三星及SK海力士若要在中國工廠安裝美製設備，包括蝕刻設備等，須每年向美國申請出口許可。
美國商務部工業暨安全局（BIS）2025年曾表示，原則上允許外國晶片業者維持中國現有工廠運作，但不打算批准技術升級或擴充產能所需的出口許可。
三星及SK海力士均向《路透社》證實，中國工廠升級工作正在進行，並與美國政府保持密切溝通，但未透露具體生產計畫。三星強調，相關升級符合美國出口規定，目的是滿足全球客戶需求，並未擴大整體產能或興建新廠。
不過，目前尚無法確認美國政府已核准兩家公司升級計畫所需的全部設備出口許可。
長江存儲市占升至38.5% 超越三星
在南韓晶片業者面臨美國出口管制限制之際，中國記憶體製造商長江存儲持續擴大市場占有率。
根據研究機構Omdia數據，長江存儲今年第二季在中國NAND市場的市占率達38.5%，高於2025年全年的28%，並超越三星。相較之下，三星市占率從2025年的36%降至33.5%，SK海力士則從20%降至17%。
長江存儲目前主要生產160層及232層NAND晶片，也已少量生產294層產品，並計畫進一步開發超過300層的NAND技術。
在中國以外市場，三星已銷售最高286層NAND晶片，並於今年8月展示超過400層的原型產品；SK海力士則已推出最高321層的NAND產品。隨著AI資料中心儲存需求持續增加，先進NAND技術也成為記憶體業者的重要競爭領域。
